Бесплатный автореферат и диссертация по геологии на тему

Зависимость формы кристаллов от условий образования в расплавах

ВАК РФ 04.00.20, Минералогия, кристаллография

Содержание диссертации, кандидата геолого-минералогических наук, Ли Зон Хо, 0

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. КРАТКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО РОСТУ

КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА.

1.1. Об округлых кристаллах.

1.2. Современные теоретические представления о росте кристаллов из расплава и экспериментальная проверка теории.

1.3. Рост технически важных кристаллов

1.4. Об изученности формы свободно растущих кристаллов.

Глава 2. КОНСТИТУЦИЯ КРИСТАЛЛОВ. АНАЛИЗ СТРУКТУРЫ ГРАНЕЙ, ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ФОРМ.

2.1. Галлий (пространственная группа симметрии как у врбаита).

2.2. Салол (пространственная группа симметрии типа брукита, гамбергита, энстатита и др)

2.3. Кремний (структура типа алмаза, пространственная группа симметрии разт )

2.4. Антимонид индия (структура типа сфалерита, пространственная группа рц зт).

Глава 3. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ СВОБОДНОГО РОСТА ИЗ РАСПЛАВА ЛЕГКОПЛАВКИХ МОДЕЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ.

3.1. Получение и крепление затравок. Установка для исследования роста кристаллов салола под микроскопом

3.2. Измерение температур.

3,3. Чистота исходных веществ. Универсальная установка для роста модельных кристаллов. О воспроизводимости и точности результатов исследования.

Глава 4. ВЛИЯНИЕ ПЕРЕОХЛАВДЕНИЯ РАСПЛАВА НА ФОРМУ

СВОБОДНО РАСТУЩИХ КРИСТАЛЛОВ.

4.1. Общая морфологическая характеристика кристаллов.

4.1.1. Галлий.

4.1.2. Салол

4.2. Кинетика роста кристаллов

4.2.1. Галлий. ИЗ

4.2.2. Влияние вращения кристаллов на скорость роста граней

4.2.3. Салол

4.3. Кинематический аспект формы кристаллов

4.4. Эволюция формы кристаллов при изменении переохлаодения расплава.

4.4.1. Габитус кристаллов галлия

4.4.2. Изменение формы кристаллов салола.

Глава 5. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ НА СВОБОДНЫЙ РОСТ

КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА. ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ.

5.1. Остаточные растворимые примеси

5.2. Влияние на морфологию и скорость роста кристаллов галлия контролируемо введенных примесей.

5.3. Нерастворимые примеси и "пороговое" переохлаждение при росте кристаллов . тсП галлия

5.4. Реальная структура ("анатомия") кристаллов салола

Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ОКРУГЛЫХ КРИСТАЛЛОВ,

ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА.

6.1. Фотогониограф для крупных кристаллов

6.2. Внешняя форма крупных кристаллов галлия, вытягиваемых из расплавов

6.3. Форма округлых полупроводниковых кристаллов со структурой типа алмаза и типа сфалерита.

Введение Диссертация по геологии, на тему "Зависимость формы кристаллов от условий образования в расплавах"

Проблема генезиса кристаллов минералов привлекает внимание ученых с давних пор. Прекрасные геометрически правильные индивиды некоторых минералов казались древним людям божественными произведениями. В средние века передовым ученым приоткрылись только отдельные стороны естественных закономерностей процессов минера-лообразования. Процессы настолько сложны и многообразны, что в новое время, по сию пору проблема генезиса кристаллов минералов далеко не исчерпана. Она углубляется и расширяется на основе собственных методологических достижений минералогов о привлечением результатов смежных наук, в первую очередь, кристаллографии.

Уже в первых строчках монографии "Онтогения минералов" профессор Д.П.Григорьев пишет / I / : "Все особенности минералов - их химический состав, структура, морфология, физические и химические свойства, паратенезисы, распространение в природе - обусловливаются по генезисом. Отсюда ясно значение учения о генезисе в минералогии".

Из широкого круга вопросов генетической минералогии на кафедрах кристаллографии и минералогии Ленинградского горного института особенно пристально исследуются те, которые посвящены генезису минеральных индивидов и агрегатов. Это направление базируется на методологических разработках ученых института по конституции, морфологии и анатомии кристаллов / 1-8 /. По изменениям параметров минерала через конкретные физико-химические законы здесь получают информацию об изменениях параметров кристаллообра-зующей среды.

Согласно закону, сформулированному профессором Н.П.Юшки-ным / 9 /: "В процессе онтогении минерала, являющегося продуктом эволюции минералогенетической среды и отражающего в своей структуре все ее параметры, любое изменение среды вызывает определенное изменение минерала, и соответственно любое изменение минерала отражается изменением в минералогенетической среде". В работах / 1,9 / обобщен большой материал по использованию кристаллов минералов в качестве фиксаторов определенных минералогенетичес-ких явлений таких, как ударный метаморфизм, механическое разрушение, радиоактивное облучение, перегрев, растворение и т.д. Многочисленными пионерскими работами по теории симметрии и морфологии кристаллов (проф.И.И.Шафрановский, /5,7/ и др.) показана возможность использования минеральных индивидов для определения симметрии кристаллообразующих сред.

Роль минералов как уровней и отвесов обсуждена в работах / 10,11/ и др. В ряде исследований такие уровни и отвесы использованы для палеотектонических реконструкций, для установления возраста месторождений (см. «например, / 12 /). По внешней форме, по анатомии кристаллов минералов, главным образом, из . анализа> включений удается извлечь информацию о химическом и фазоцом составе кристаллообразующей среды, о параметрах системы кристалл-среда (давлении и температуре) в момент формирования минерала / 13,14 /. Определение в минералах радиоактивных элементов и продуктов их распада, а также ряд других методик позволяют использовать минералы как индикаторы времени / 9 /.

В приведенной выше цитате проф.Н.П.Юшкина о процессе онтогении минералов в связи с эволюцией минералогенетической среды особое внимание обращает на себя то, что минерал не является пассивным элементом в системе кристалл-среда. Он вносит активный вклад в состояние среды и, в конечном итоге, в собственную свою судьбу. Зародившийся минерал при росте перераспределяет исход

- б ные компоненты среды, обедняет ее одними компонентами и обогащает другими. В некоторых случаях это приводит к синтаксической зональности. Она чаще всего проявляется не в полнозональных образованиях разных минералов, а в синтаксическом прирастании одного минерала к другому на отдельных участках / I /. Активными каталитическими центрами могут быть дефекты структуры различного типа - точечные (примеси, вакансии, комплексы), линейные (дислокации), двойниковые границы и т.д. При недоучете влияния дефектности и малых примесей на кинетику, а следовательно, на фор-цуг, строение (анатомию), кристаллов возможны ошибки в определении условий минералообразования по форме кристаллов. Это особенно четко демонстрируется при моделировании процессов минералообразования / 15-17 /. Например, рентгеновская топография растущих кристаллов дигидрофосфата аммония дает доказательство тоцу, что колебания скорости роста отдельных граней, в том числе полная остановка граней торможения обусловлены для этого случая реальной дислокационной структурой кристаллов / 18 /.

Школой профессора В.А.Франк-Каменецкого теоретически и многочисленными модельными экспериментами развиваются представления о том, что преобразования многих минералов могут происходить без полного разрушения, фрагменты структуры "умирающих" минералов целиком встраиваются во вновь образующиеся кристаллы / 19 /. И здесь активное начало минерала - части среды, ее преобразователя проявляется достаточно выпукло.

Представители онтогенетического эволюционного направления в минералогии, кристаллографы-минералоги в своих исследованиях отводят важное место моделированию минералообразования / 20 /. Однако, в настоящее время сложилась своеобразная ситуация. С одной стороны, на основе наблюдения легкой изменчивости формы кристаллов в связи с малыми примесями, дефектами структуры и т.д. кристаллогенетики настаивают на более строгой, чем принято в минералогических исследованиях,увязке кристалдоморфологии с условиями роста / 21 /. С другой стороны, на огромном природном материале установлена закономерная кристалломорфологическая эволюция минералов / 21 /. Основой открытия послужила концепция, согласно которой кристаллическая структура выступает основным фактором морфогенезиса. Сформулированное еще в прошлом веке французским кристаллографом О.Брэве правило связывает возможность появления и развития граней на кристаллах с наиболее ретикулярно плотными сетками трансляционной решетки. К настоящему времени правило уточнено многими исследователями. Разработаны методики структурно-геометрического анализа граней минералов / 23,24 /, теоретического построения равновесной формы кристаллов / 25 /.

Рассматривая зонально-секториальное строение прозрачных кристаллов или "анатомируя" непрозрачные, иногда специально препарированные минералы, устанавливают изменчивость формы во времени. Фиксируя положение исследуемых минералов в отдельных жилах и по месторождению в целом, получают данные о влиянии этих факто

Идеальный ров на изменчивость форм кристаллов, ^-кристалл является той мерой, той масштабной линейкой, с которой сравнивают форму минерала и судят об изменениях условий его генезиса. Рядом детальных исследований установлено, что плотнейшие грани природных кристаллов, возникают в связи с особо благоприятными для осаждения минерального вещества условиями кристаллизации. Это положение служат практике, является основой поисковой кристалломорфологии, использующей анализ формы минералов для поисков и разведки месторождений полезных ископаемых / 26 /.

Много ли сделано для проверки, уточнения и развития этого нового важного направления теми, кто моделирует процессы минера-лообразования? Нужно признать, что недостаточно много. Из положительных примеров назовем системное исследование образования кварца в контролируемых условиях, проведенное д.г.-м.н.В.С.Балицким / 27 /. Получен ряд важных результатов, существенно дополняющих сведения, добытые при "реконструкции" условий роста по форме кристаллов, но практически не идущих вразрез с ними.

Одним из главных является вопрос о влиянии на форму минерала степени отклонения от равновесия системы кристалл-среда. Известны работы, в которых изучалась зависимость формы кристаллов от перенасыщения раствора. В классическом исследовании A.B. Щубникова на примере роста кристаллов квасцов показано, что с увеличением степени пересыщения число граней уменьшается / 28 /. Этот результат позднее был подтвержден серией экспериментов,тщательно выполненных В.Н.Войцеховским и В.А.Мокиевским / 8,с.103 /.

Сообщается также и о других зависимостях. Профессор A.A. Чернов в монографии / 29,с.171 / пишет: ". кристаллы алгомокалиевых квасцов при пересыщениях ^ 1% огранены только гранями октаэдра, а при пересыщениях ^ I% - гранями октаэдра куба и ромбододекаэдра. Кристаллы NaC^ имеют кубический габитус при малых пересыщениях и октаэдрический при больших. На кристаллах

CsCfc при увеличении пересыщения помимо (НО) появляются грани (100) и т.д. Вообще облик кристаллов растущих сингулярными гранями с уменьшением пересыщения или переохлаждения упрощается. При малых отклонениях от равновесия и соответственно малых скоростях роста на нелинейных участках Y(<s ) скорости роста граней сильно отличаются друг от друга. При больших отклонениях от равновесия, когда лимитирующей стадией процесса все в большей степени становятся акты встраивания частиц на изломах и ступенях, перенос по поверхности, а также транспорт в объеме, т.е. явления менее анизотропные, чем генерация слоев, различие в скоростях роста сглаживаются".

Крупный специалист по росту кристаллов Е.Б.Трейвус, систематизирующий материал о влиянии пересыщения на габитус кристаллов, любезно сообщил нам, что по данным проф.Н.И.Шефталя, А. В. Белю с тина и проф.Р.И.Керна вблизи от точки насыщения в растворах образуются кристаллы с минимальным числом граней. Согласно этим авторам повышение пересыщения ведет к усложнению облика за счет появления дополнительных граней, а затем с дальнейшим ростом пересыщения форма снова упрощается, но кристалл оформляется иными гранями,чем вблизи от равновесия. Таким образом, сведения об эволюции формы кристаллов в связи с изменением пересыщения противоречивы. Одной из причин может быть наложение на зависимость форма-отклонение системы от равновесия других факторов. Растворитель молено рассматривать как своеобразную примесь, взаимодействующую с кристаллизуемым веществом. Взаимодействие это проявляется как в возникновении сложных комплексов растворенного вещества в растворе, так и в образовании гидратных или сольватных слоев на кристаллической грани / 16,30-32 /. Поэтому представляется целесообразным устанавливать морфологическую роль степени отклонения от равновесия системы кристалл-среда сначала на самых простых моделях. Примером их являются однокомпонентные системы кристалл-расплав. Они уже давно используются при исследовании закономерностей кристаллообразования, в основном металлофизиками, которые, к сожалению, недостаточно полно учитывают морфологические аспекты проблемы роста кристаллов.

Огромный материал по выращиванию из расплава методами направленной кристаллизации металлических, полупроводниковых, оптических и других технически важных кристаллов до недавнего времени морфологическому анализу не подвергался. Отсутствовал раздел кристалломорфологии, способы строгого описания формы в основном округлых кристаллов с небольшими гранями на внешней поверхности / 33 /.

В настоящей работе ставилась задача исследования зависимости формы кристаллов от условий их образования в расплавах. Пред полагалось установить закономерность эволюции формы тел роста при увеличении степени отклонения от равновесия системы расплав-кристалл, проследить влияние на рост примесей, проанализировать данные экспериментов в связи с идеальной структурой кристаллов с кинетикой роста.

В основном представлены результаты исследования кристаллов галлия и салола ( фенилсалицилата ) - металла и органического соединения, не различающихся по конечной симметрии. Поскольку галлий, используемый как составная часть важнейших полупроводников - арсенида и фосфида галлия - подвергают финишной очистке, вытягивая кристаллы из расплава, приведены морфологические данные и об этих кристаллах, наряду с описанием формы кристаллов кремния (структура типа алмаза) и антимонида индия (структура типа сфалерита). К настоящему времени разработана физическая теория послойного роста из расплава округлых кристаллов / 34 /, а кристаллографических данных о морфологии в связи с идеальной структурой кристаллов в литературе очень мало.

Для проведения экспериментов была разработана методика свободного роста со ступенчатым вытягиванием кристалла из расплава. Морфологические исследования проводились главным образом с использованием классических кристаллографических методик -гониометрии и фотогониометрии. Для крупных округлых кристаллов был модернизирован разработанный в ЛГИ фотогониограф. В исследовании широко применялась микроскопия, привлекался спектральный анализ и рентгеновская методика.

Материал диссертации изложен в следующей последовательности.

Заключение Диссертация по теме "Минералогия, кристаллография", Ли Зон Хо, 0

В результате проведения этого исследования получены сле дующие основные результаты.1. Разработана методика и установка для исследования кри сталлов в широком диапазоне изменяющихся условий. Она позволяет легко оценивать воспроизводимость опытов, в одном процессе полу чить серию кристаллов при разных условиях, оценить вклад процес са кристаллообразования явлений переноса вещества и теплоты кри сталлизации.2. Решающая роль в формообразовании кристаллов в распла вах принадлежит их идеальной структуре. Теоретически определен ные из анализа структура последовательности форм в общем согла суются с реальными формами кристаллов, образованных в широком диапазоне изменяюпдахся условий.3. Форма кристаллов зависит от степени переохлаждения расплава. Вблизи от точки плавления образуются кристаллы, в ог ранении которых участвует максимальное число простых кристалло графических форм.При умеренных переохлалщениях возникают плоскогранные кристаллы, ограненные только наиболее структурноважными гранями.При больших переохлаждениях, когда образуются скелетные или антискелетные кристаллы, в огранении их снова появляются второстепенные грани.4. Растворимые примеси, существенно изменяя абсолютные скорости роста кристаллов и в некоторых случаях относительные скорости нарастания отдельных граней, общую тенденцию эволюции

форм, характерную для чистых кристаллов, не изменяют.5. Нерастворимые примеси могут экранировать грани, пре пятствовать росту кристаллов при умеренных переохлаждениях и из менять их форьцг в пределах установленной закономерной эволюции.Дислокации существенным образом не влияют на эволюцию формы кристаллов в связи с переохлаящением расплавов.6. При весьма больших переохлаждениях расплава (десятки

градусов) возможно не плавное, а резкое изменение формы растущих кристаллов за счет скачкообразного изменения относительных ско ростей нарастания граней. В огранении при этом остается комбина ция кристаллографических простых форм такая, как и при росте кристаллов в расплаве при температуре, близкой к точке плавления.7. Проведены гониометрические измерения округлых кристал лов ггшлия, антимонида индия и кремния, полученных методами Чох ральского и бестигельной зонной плавки. Показано, что при обра зовании кристаллов из одинаковых по составу расплавов на появле ние различных граней влияет способ выращивания (градиенты тем пературы), ориентировка кристаллов и совершенство их структуры.

Библиография Диссертация по геологии, кандидата геолого-минералогических наук, Ли Зон Хо, 0, Ленинград

1. Григорьев Д.П. Онтогения минералов. Львов,Изд.Львовского университета, 1961, 264с, Шафрановский И.И. Кристаллы минералов. 4.

2. Плоскогранные формы. Л.,изд.ЛГУ,1957,220с. Шафрановский И.И. Кристаллы минералов. Кривогранные,скелетные и зернистые формы. М.,Госгеолтехиздат, 1961, 332с. Григорьев Д.П. 1966, 74с. Шафрановский И. И. Лекции по кристалл оморфологии. М., Высшая школа, 1968, 174с. Григорьев Д.П. О законах анатомии кристаллов. Кристаллография, I97I, т.16, 6, C.I226-I

3. Шафрановский И.И. Очерки по минералогической кристаллографии. jr.. Недра, 1974, 151с. Мокиевский В.А. Морфология кристаллов. Л., Недра, 1983, 295с. Юшкин Н.П. Теория и методы минералогии. Л., Наука, 1977, 291с. Леммлейн Г.Г. Искажения облика кристаллов кварца, обусловленные их положением во время роста.—ДАН СССР, 1951,т.ЗЗ, б, с.415-416.

4. Григорьев Д.П. Некоторые проявления влияния силы тяжести на образование и распределение минералов в местороящениях. Зап.ВМО, 1946, ч.75,вып.2,с.152-155.

5. Юшкин Н.П. Минералогия и парагенезис самородной серы в экзогенных местороящениях. Л., Наука, 1968, 187 с. Основы конституции минералов. М.,Наука,

6. Трейвус Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. Л., Изд.ЛГУ, 1979, 248с. Низкотемпературное

7. Пунин Ю.О., Петров Т.Г.,Трейвус Е.Б. 1980, Ч.108, вып.5,с.517-529. 18. моделирование процессов минералообразования. Зап.ВМО, Чернов А.А., Смольский И.Л., Парвов В.Ф., Кузнецов Ю.Г., Рожанский В.Н. Рентгенотопографическое исследование процесса роста кристаллов АДР. Кристаллография. М., Наука,. 1980, т.25, вып.4, с.821-828.

8. Франк-Каменецкий В.А., Котов Н.В., Гойло Э.А. Трансформационные префбразования слоистых силикатов при повышенных р-т-параметрах. Л., Недра, 1983, 151с.

9. Асхабов A.M. Механизм роста кристаллов из раствора. Серия препринтов. "Научные доклады". Вып.28, Сыктывкар, 1976, 41с. 21.

10. Гликин А.Э., Глазов А.И. Проблемы генетической интерпретации формы минералов.- Зап.ВМО, 1979,4.108,65,с.536-

11. Григорьев Д.П., Евзикова Н.З., Зидаров Б., Костов И,, Кузнецов К., Малеев М., Минеев И.И., Юшкин Н.П. Кристалломорфологическая эволюция минералов. Сыктывкар. АН СССР, Коми филиал, I98I, 27с.

12. Евзикова Н.Э. Метод проектирования структуры кристалла на плоскость (hKi Зап.ВМО, 1964,ч.93,в.3,с.266-272. /hKL/ Раменская М.Е, Способ изображения кристаллической структуры в виде проекции ячейки элементарного слоя на грань ikKi), 25. 26. 27.

13. Вестн.МГУ, сер.геол.,1973, 1,с.67-

14. Хонигман Б. Рост и форма кристаллов. М., изд.ИЛ, 1961,185с, Евзикова Н.З. Поисковая кристалломорфология. М., Недра, 1984, 143с. Балицкий B.C. Экспериментальное изучение процессов кристаллообразования. М., Недра, 1978, 143с. Щубников А.В. Влияние степени пересыщения раствора на внешний вид выпадающих из него кристаллов квасцов.- Изд. йш.АН,сер.6, 1913,т.7,№ 14, с.817-827.

15. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х С Демьянец Л.Н., Кузнецов В.А., Лобачев А.Н. Современная кристаллография, т.З. Образование кристаллов, М., Наука, 1980,407с.

16. Яновский В.К., Воронкова В.И., Копцик В.А. Влияние адсорбции вольфраматного расплава на формы и механизм роста кристаллов корунда.- Кристаллография, 1970, т.15,вып.2, с.362-366.

17. Troost S, Crystal Growth of sodium triphosphate hexahydrate.- J. erystal Growth. 1972, v. 13/14, p. 449-453.

18. Сипягин В.В., Чернов А,А. Аномалии температурной зависимости скоростей роста граней кристаллов A/dA/3 ЫдаО/ и сегнетовой соли из водных растворов. Кристаллография, 1972, т.17,вьш.5, с.1003-1008,

19. Любалин М.Д. Морфология кристаллов,вытягиваемых из расплава.- В кн.: Рост кристаллов,т.9.М.,1972,с.I5I-I60.

20. Воронков В.В. Теория роста кристаллов из расплава: послойный механизм и формообразование. Автореф.докт.дис, М., ИК АН СССР, 1983, 32с.

21. Nacken R, Uber das Wachsen von kristallpolyedern in Schmelzfluss.—N. J. fur Min., 1915, B. 11, 133—151. ihrem

22. Данилов В.И., Малкин В.И. Экспериментальная проверка теории роста кристаллов и связь равновесных форм с формами роста. тх 1954, т.28,с.1837-1844. on Hillig W. В, Theinetics of freezing in ice in the direction perpendicular to the basal plane, В kH.:Growth and Perfection of Crystals, New York.

23. Kossel W. Die 1958, р55б molecularen Vorgonge bein Kristallwachstum, Leipzig, 1928, s

24. Странский И.Н., Кшшев P. К теории роста кристаллов и образование кристаллических зародышей. Усп.физ.наук, 1939, T.2I, 408.

25. Volmer М, Kinetic der Phasenbildung, dresden-Leipzig, Steinkopt verl., 1939, 226s

26. Neuhaus A, Nichmann G., Zur Ausdentung der Weebstumsergebnisse nach dem Nacken-Kyropoulos-Verfanren,-Zeit. Electrochem., 1952 v.56, s. 485. 42.

27. Щубников A.В. Как растут кристаллы. М-Л., Изд.АН СССР, 1935, 175 с. Годлевский М.Н., Гуркина Г.А. Морфогенетический ряд октаэдр-10/б кристаллов алмаза. Зап.ВМ0,1977,т.106, вып.6, с.641-650.

28. Франк Ф.Ч. Влияние дислокаций на рост кристаллов. Пер.в кн.: Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии. Сб.1, М., 1950, с.41-46. 46. 47.

29. Варма А.Р. Рост кристаллов и дислокации. М., изд.ИЛ, 1958, 216с. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкости. М-Л.,изд. АН СССР, 1945, 424с. Biirton W.K., Cabrera N., Frank F.C., The growth of crystals and the eguilibrium of their sixrf aces.-Phil. 7rans, Roy. S o c A.1951, 245, &8бб, p.299-358.

30. Цульф Г.В. К вопросу о скоростях роста и растворения кристаллических граней. В кн.; Вульф Г.В. Избранные работы по кристаллофизике и кристаллографии, М-Л., I952,c.I7-II3.

31. Jackson К. А. Interface structm?e.- In: Growth and Perfec— tion of Crystals, N-Y., 1958, p. 519-524.

32. Oahn J. W. Theory of crystal growth and interface motion in crystalline materials.- Acta Met., 1966, v.8,N3, p.554562.

33. Jantsch 0. Zur Theorie der linearen Kristallisationgesch- windigkeit unterkiihlter Schmilzen.-Zeits, Krist., 1956, V. 168, 5/4, 185-265.

34. Борисов B.T. К теории нормального роста кристаллов.-В кн.: Рост и несовершенство металлических кристаллов. Киев,изд. Наукова думка, 1966, с.26-33.

35. Алфинцев Г.А. Кинетика, механизм и формы роста кристаллов из расплава. Автореф.дисс, Киев, Институт металлофизики, АН УССР, I98I, 40с.

36. Коломийцев А.И., Якубова А. О столбчатом механизме роста кристаллов природного алмаза кубического габитуса. Зап. ВМО, 1976, т.105, вып.4, с.469-472. 56.

38. Любалин М.Д. Фотогониометрия кристаллов германия, выращенных по методу Чохральского. -Зап.ЛГИ, 1968, т.54,вып.2, с.83-86.

39. Литвинова И.Ю. Исследование примесных неоднородностей, дефектов структуры и морфологии легированных монокристаллов германия. Автореф.канд.дисс, Л., ЛГИ, 1970, 14с.

40. Третьяков В.Н. Морфология и распределение примеси в кристаллах германия, различно ориентированных при росте. Автореф.канд.дисс, Л,, ЛГИ, 1977, 19с.

41. Фалькевич Э С Блешан Н.И., Неймарк К.Н., Осовский М.И. Особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния. В кн.: Рост кристаллов. М., Наука, 1972, т.9, с.109.

42. Шефталь Н.Н, К вопросу о реальном кристаллообразовании. В кн.: Рост кристаллов. Т.З, М., изд-во АН СССР, I96I, с.9-21.

43. Воронков В.В. Условия образования ячеистой структуры фронта кристаллизации. Физ.твердого тела,1964,т.6,№ 10, с.2984-2988.

44. Антонов П.И., Григорьев Н.С., Вахмянин Л,П. Фотогониография профилированных кристаллов германия. Изв.АН СССР, сер.физическая 1972, т.36, 3, с.501-506.

45. Антонов П.И., Татарченко В.А., Сает А.И., Степанов А.В. Условия, определяющие вид прольной кривой при вьфащивании кристаллов по методу Степанова. В кн.: Материалы 1-го совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., 1968, с.42-51. 67. 68. 69. 70.

46. Сангстер Р. Рост кристаллов полупроводниковых соединений Pi о АВ на модели.- В кн.: Полупроводниковые соединения М., Металлургия, I98I,с.344-363.

47. Щгбников А.В., Мокрушин С,Г. Кристаллы салола с кривыми гранями. Изв.Уральск.ун-та, I92I, т.2, с.1-10.

48. River OS H. G. Growth of salol crystals.- Joiirn. of crystal Growth, 1968, V. 2, p. rc Miller Б. Ii-Vl, Faceting transition in melt-rown crystals,-- Journal of Crystal Growth, v.4-2, 1977, P- 557-565. rg Moller H. Der Kristallhabitus von salol und seine Abhang- igkeit von der Temperatm?.- Ztrb.1 Mineralog.A, 1925, s.151-145. 77.

49. Любалин М.Д. Морфология кристаллов германия,выращенных по методу Чохральского. Канд.дисс, Л., ЛГИ, 1969,203с. Шафрановский И.И., Франк-Каменецкий В.А. Внешняя форма кристаллов как отражение их внутреннего строения.-Вестник ЛГУ, 1948, 1,0.42-46.

50. Мокиевский В.А. Влияние внешних условий на форму роста кристаллов. В кн.: Кристаллография. Вып.4, Л., изд.ЛГУ, 1965, с.З.

51. Donnay J. D, Н. D. Harker, Nouvelles tables dextinctions por les 256 groups de recouvrements cristallographigues,— natur, Canad,, 1946, V.67.& 55, 65.

52. Follner H. Reciprocal Morphological. Lattices and Growlh Forms of crystals-Crystal Research and Technology, 1982. V. 17, &12, p. 1541- 1547.

53. Евзикова Н.З. Структурно-геометрический анализ поверхности роста кристаллов и прогноз распределения микроростков. Зап.ВМО, 1977, ч.Юб, в.2, с.227-232.

54. Laves F. Kristallstruktm? und Morphologie des Galliums.Z. Krist. V.84 1933, s 256-298.

55. Шафрановский И.И. Форма кристаллов. Тр.института кристаллографии АН СССР, 1968, вып.4, с.13-166.

56. Hartman Р., Perdok W. G. On the relations between structiire and morphology of crystals,- Acta crystallogr. ,1955, V.8, 1 p.49-52.

57. Wilson С G., The plastic deformation of single crystals of gallium.- J. Lass.-Commoi{Metals, 1963 v. 5,P. 245-

59. Хартман П. Зависимость морфологии кристалла от кристаллической структуры. В кн.: Рост кристаллов, т.7, М.,Наука, 1967, с.8-23.

60. Трейвус Е.Б., Петров Т.Г., Пунин Ю.О. и др. Микроскопический метод изучения фазовых равновесий и кристаллизации.-

61. Борисов В.Т., Голиков И.Н., Матвеев Ю.Е., Исследование кинетики и механизма роста кристаллов галлия. Кристаллография, т.13, в.5, 1968, с.876-882.

62. Abbaschian G. J. and Mehrabian R., Effect of Aluminum on the solidification kinetics and morphology of Gallium. J. Crystal Growth, 1978, v. 45, p. 433-5.

63. Dash W, C., Silicon crystalree of dislocation,- J. Appl. Phys., 1958, V. 2 9 4 p. 736-737.

64. Франк-Каменецкий В.A. 16, с.384-

65. Единая система обозначения элементов кристалла. В кн.: Минерал.об.Львов.геол.общ-ва, 1962,

66. Штернберг А.А. О связи трещиноватости и морфологии кристаллов с примесями (гетерометрия). Кристаллография, 1962, т.7, вып.1, C.II4-I20. 98.

67. Глазов A.M. Метода морфологии кристаллов. Л., Недра, I98I, 147с. Мокиевский В.А., Джафарова Ч.Д. Перспективы фотогониометрического исследования кристаллов со сложной поверхностью.Зап.ВМО, 1963, Ч.92.

68. Антонов П.И., Григорьев Н С Вахмянин Л.П. Фотогониография профилированных кристаллов германия. Изв.АН СССР, сер.физ., 1972, т.26, в.З, с.501.

69. Любалин М.Д., Мокиевский В.А. Форма кристаллов германия, выращиваемых по Чохральскому. Кристаллография, 1968, т.13, 14, с.735-740.

70. Коллектив авторов, отв.ред.Н.В.Белов. Процессы реального кристаллообразования. М., изд.МГУ, 1977, 235с.

71. Любалин М.Д., Погодин А.И. Некоторые особенности морфологии кристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского.- Зап.ЛГИ, 1977, т.75,в.2,с.80-83.

72. Пашков Ю.М., Щушлебина Н.Я. Причины возникновения полос при выращенивании монокристаллов кремния. В кн.; Материалы первого совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., 1968, с.142-149.

73. Антонов П.И., Бахолдин С И Носов Ю.Г., Калитина E.G. Образование слоев роста, на гранях и двойникование профилированных монокристаллов антимонида индия. Изв.АН СССР, сер.физическая, 1983, т.47,№ 2, с.315-321.